電荷耦合器件是能在不同的內(nèi)部部件之間進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)和移出的半導(dǎo)體器件， 固體成像、信號(hào)處理和大容量存儲(chǔ)器是電荷耦合器件的三大主要用途。

　　一、什么是電荷耦合器件?

　　電荷耦合器件是能在不同的內(nèi)部部件之間進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)和移出的半導(dǎo)體器件。電荷耦合器件是一種用于探測(cè)光的硅片，比傳統(tǒng)的底片更能敏感的探測(cè)到光的變化。是用電荷量來(lái)表示不同狀態(tài)的動(dòng)態(tài)移位寄存器，由時(shí)鐘脈沖電壓來(lái)產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢(shì)阱的變化，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。英文簡(jiǎn)稱 CCD 。耦合器銷(xiāo)售熱線：400-880-1981【相關(guān)產(chǎn)品推薦：ST多模耦合器、SC單模耦合器、FC單模耦合器】

　　二、電荷耦合器件的原理

　　由時(shí)鐘脈沖電壓來(lái)產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢(shì)阱的變化，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。實(shí)際上電荷耦合器件 (CCD)是一種用電荷量來(lái)表示不同狀態(tài)的動(dòng)態(tài)移位寄存器。CCD的雛形是在N型或 P型硅襯底上生長(zhǎng)一層二氧化硅薄層，再在二氧化硅層上淀積并光刻腐蝕出金屬電極，這些規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容器陣列和適當(dāng)?shù)妮斎�、輸出電路就�?gòu)成基本的 CCD移位寄存器。對(duì)金屬柵電極施加時(shí)鐘脈沖，在對(duì)應(yīng)柵電極下的半導(dǎo)體內(nèi)就形成可儲(chǔ)存少數(shù)載流子的勢(shì)阱�？捎霉庾⑷牖螂娮⑷氲姆椒▽⑿盘�(hào)電荷輸入勢(shì)阱。然后周期性地改變時(shí)鐘脈沖的相位和幅度，勢(shì)阱深度則隨時(shí)間相應(yīng)地變化，從而使注入的信號(hào)電荷在半導(dǎo)體內(nèi)作定向傳輸。CCD 輸出是通過(guò)反相偏置PN結(jié)收集電荷，然后放大、復(fù)位，以離散信號(hào)輸出。

　　三、電荷耦合器件的用途及應(yīng)用

　　固體成像、信號(hào)處理和大容量存儲(chǔ)器是電荷耦合器件的三大主要用途。CCD信號(hào)處理兼有數(shù)字和模擬兩種信號(hào)處理技術(shù)的長(zhǎng)處，在中等精度的雷達(dá)和通信系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用 。CCD還可用作大容量串行存儲(chǔ)器，其存取時(shí)間、系統(tǒng)容量和制造成本都介于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和磁盤(pán)、磁鼓存儲(chǔ)器之間。

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